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化学机械抛光(CMP)评价系统是专为CMP工艺研发与质量控制而设计的专业化测试平台。该系统能帮助用户系统评价不同电解液的抛光行为与工艺适配性。可模拟晶圆抛光过程中电极接触面压强、加载载荷、升降位移等关键工况,精准对比不同电解液的抛光压力适配性、载荷稳定性等核心性能,适用于电解液研发、工艺调试、批次质量检测等场景。
系统集成了智能控制软件,适用于科研机构、高等院校及生产企业实验室开展化学机械抛光评价、工艺参数优化及质量控制等研究工作。
参数
规格
最大压力
120KPa
行程
20mm
加力量程
6Kg
压强精度
±0.1KPa
分辨率
0.05μm
精度
0.5g
台面尺寸
150×170mm
重复定位精度
2μm
转速输出信号
0~10V,1mV/RPM
抛光电解液配方研发,对比不同电解液的抛光载荷稳定性
晶圆抛光工艺参数摸索
电解液批次稳定性检测
抛光电极适配性测试,统一实验标准
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